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CY7C1319KV18	文件：1.18122 Mbytes Page：33 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture 文件：1.18122 Mbytes 页数：33 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1319KV18	文件：779.59 Kbytes Page：33 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture 333-MHz clock for high bandwidth 文件：779.59 Kbytes 页数：33 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1319KV18	文件：300 bytes Page：1 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture	Infineon 英飞凌	Infineon
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CY7C1319KV18_13	文件：503.62 Kbytes Page：31 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture 文件：503.62 Kbytes 页数：31 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1319KV18-250BZC	文件：503.62 Kbytes Page：31 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture 文件：503.62 Kbytes 页数：31 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1319KV18-250BZC	文件：465.68 Kbytes Page：31 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture 文件：465.68 Kbytes 页数：31 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1319KV18-250BZC	文件：779.59 Kbytes Page：33 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture 333-MHz clock for high bandwidth 文件：779.59 Kbytes 页数：33 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1319KV18-250BZXC	文件：503.62 Kbytes Page：31 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture 文件：503.62 Kbytes 页数：31 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1319KV18-250BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

合格汽车：
否
突发长度（字）：
4
密度 (Kb)：
18432
Density (Mb)：
18
频率 (MHz)：
250
最高工作温度 (°C)：
70
Max. Operating VCCQ (V)：
1.90
最高工作电压 (V)：
1.90
最低工作温度 (°C)：
0
Min. Operating VCCQ (V)：
1.40
最低工作电压 (V)：
1.70
组织 (X x Y)：
1Mb x 18
Part Family：
DDR-II CIO
Tape & Reel：
否
温度分类：
商用

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深圳市斌腾达科技有限公司	CY7C1319KV18-250BZC	Cypress Semiconductor Corp	21+	96-TFBGA	5280	进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营	询价
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