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CY7C1315KV18-250BZXC_12	文件：1.36522 Mbytes Page：32 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture 文件：1.36522 Mbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1315KV18-300BZC_12	文件：1.36522 Mbytes Page：32 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture 文件：1.36522 Mbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1315KV18-300BZXC_12	文件：1.36522 Mbytes Page：32 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture 文件：1.36522 Mbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1315KV18-333BZC_12	文件：1.36522 Mbytes Page：32 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture 文件：1.36522 Mbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1315KV18-250BZCT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Synchronous SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1315KV18-250BZI	文件：300 bytes Page：1 Pages	同步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1315KV18-250BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	Synchronous SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1315KV18-250BZCT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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技术参数

合格汽车：
否
突发长度（字）：
4
密度 (Kb)：
18432
Density (Mb)：
18
频率 (MHz)：
250
最高工作温度 (°C)：
70
Max. Operating VCCQ (V)：
1.90
最高工作电压 (V)：
1.90
最低工作温度 (°C)：
0
Min. Operating VCCQ (V)：
1.40
最低工作电压 (V)：
1.70
组织 (X x Y)：
512Kb x 36
Part Family：
QDR-II
Tape & Reel：
否
温度分类：
商用

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更多CY7C1315KV18供应商更新时间2025-12-2 10:20:00

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