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CY7C109	文件：220.17 Kbytes Page：12 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription TheCY7C109/CY7C1009isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE1),anactiveHIGHchipenable(CE2),anactiveLOWoutputenable(OE),andthree-statedrivers.Writingt	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
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CY7C109-12VC	文件：220.17 Kbytes Page：12 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription TheCY7C109/CY7C1009isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE1),anactiveHIGHchipenable(CE2),anactiveLOWoutputenable(OE),andthree-statedrivers.Writingt	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C109-12ZC	文件：220.17 Kbytes Page：12 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription TheCY7C109/CY7C1009isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE1),anactiveHIGHchipenable(CE2),anactiveLOWoutputenable(OE),andthree-statedrivers.Writingt	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
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CY7C109-20VC	文件：220.17 Kbytes Page：12 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription TheCY7C109/CY7C1009isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE1),anactiveHIGHchipenable(CE2),anactiveLOWoutputenable(OE),andthree-statedrivers.Writingt	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C109-20VI	文件：220.17 Kbytes Page：12 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription TheCY7C109/CY7C1009isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE1),anactiveHIGHchipenable(CE2),anactiveLOWoutputenable(OE),andthree-statedrivers.Writingt	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C109-20ZC	文件：220.17 Kbytes Page：12 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription TheCY7C109/CY7C1009isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE1),anactiveHIGHchipenable(CE2),anactiveLOWoutputenable(OE),andthree-statedrivers.Writingt	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C109-20ZI	文件：220.17 Kbytes Page：12 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription TheCY7C109/CY7C1009isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE1),anactiveHIGHchipenable(CE2),anactiveLOWoutputenable(OE),andthree-statedrivers.Writingt	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C109-25VC	文件：220.17 Kbytes Page：12 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription TheCY7C109/CY7C1009isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE1),anactiveHIGHchipenable(CE2),anactiveLOWoutputenable(OE),andthree-statedrivers.Writingt	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C109-25VI	文件：220.17 Kbytes Page：12 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription TheCY7C109/CY7C1009isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE1),anactiveHIGHchipenable(CE2),anactiveLOWoutputenable(OE),andthree-statedrivers.Writingt	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C109-25ZC	文件：220.17 Kbytes Page：12 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription TheCY7C109/CY7C1009isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE1),anactiveHIGHchipenable(CE2),anactiveLOWoutputenable(OE),andthree-statedrivers.Writingt	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C109-25ZI	文件：220.17 Kbytes Page：12 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription TheCY7C109/CY7C1009isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE1),anactiveHIGHchipenable(CE2),anactiveLOWoutputenable(OE),andthree-statedrivers.Writingt	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C109-35VC	文件：220.17 Kbytes Page：12 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription TheCY7C109/CY7C1009isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE1),anactiveHIGHchipenable(CE2),anactiveLOWoutputenable(OE),andthree-statedrivers.Writingt	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C109-35VI	文件：220.17 Kbytes Page：12 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription TheCY7C109/CY7C1009isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE1),anactiveHIGHchipenable(CE2),anactiveLOWoutputenable(OE),andthree-statedrivers.Writingt	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C109B	文件：196.52 Kbytes Page：12 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andthree-statedrivers.Writingto	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C109B_06	文件：380.75 Kbytes Page：10 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription[1] TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andtri-statedrivers.Writingto	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C109B-12VC	文件：380.75 Kbytes Page：10 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription[1] TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andtri-statedrivers.Writingto	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C109B-12VC	文件：196.52 Kbytes Page：12 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andthree-statedrivers.Writingto	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

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详细参数

型号：
CY7C109
制造商：
Cypress Semiconductor
功能描述：
Static RAM, 128Kx8, 32 Pin, Plastic, SOJ

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