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CY7C107D集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

CY7C107D

参数属性

CY7C107D 封装/外壳为28-BSOJ(0.400",10.16mm 宽);包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ

功能描述

1-Mbit (1M x 1) Static RAM
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ

封装外壳

28-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)

文件大小

872.13 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

Cypress Cypress Semiconductor

中文名称

赛普拉斯 赛普拉斯半导体公司

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-2 23:00:00

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CY7C107D规格书详情

CY7C107D属于集成电路(IC)的存储器。由赛普拉斯半导体公司制造生产的CY7C107D存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

Functional Description [1]

The CY7C107D and CY7C1007D are high-performance CMOS static RAMs organized as 1,048,576 words by 1 bit. Easy memory expansion is provided by an active LOW Chip Enable (CE) and tri-state drivers. These devices have an automatic power-down feature that reduces power consumption by more than 65 when deselected.

特性 Features

■ Pin- and function-compatible with CY7C107B/CY7C1007B

■ High speed

— tAA = 10 ns

■ Low active power

— ICC = 80 mA @ 10 ns

■ Low complementary metal oxide semiconductor (CMOS) standby power

— ISB2 = 3 mA

■ 2.0 V data retention

■ Automatic power-down when deselected

■ CMOS for optimum speed/power

■ Transistor transistor logic (TTL) compatible inputs and outputs

■ CY7C107D available in Pb-free 28-pin 400-Mil wide Molded SOJ package. CY7C1007D available in Pb-free 28-pin 300-Mil wide Molded SOJ package

产品属性

更多
  • 产品编号:

    CY7C107D-10VXIT

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    1Mb(1M x 1)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    10ns

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    28-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    28-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ

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