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CY7C106D-10VXI数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF
| 厂商型号 |
CY7C106D-10VXI |
| 参数属性 | CY7C106D-10VXI 封装/外壳为28-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ |
| 功能描述 | IC SRAM 1M PARALLEL 28SOJ |
| 封装外壳 | 28-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-13 20:00:00 |
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技术参数
- 制造商编号
：CY7C106D-10VXI
- 生产厂家
：Infineon
- 存储器格式
：SRAM
- 技术
：SRAM - 异步
- 存储容量
：1Mb （256K x 4）
- 写周期时间 - 字，页
：10ns
- 访问时间
：10ns
- 存储器接口
：并联
- 电压 - 电源
：4.5V ~ 5.5V
- 工作温度
：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：28-BSOJ(0.300\，7.62mm 宽）
- 供应商器件封装
：28-SOJ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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