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CY7C1019	文件：160.62 Kbytes Page：8 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription TheCY7C1019isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE),anactiveLOWoutputenable(OE),andthree-statedrivers.Thisdevicehasanautomaticpower-downfeaturethatsign	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C1019-10VC	文件：160.62 Kbytes Page：8 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription TheCY7C1019isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE),anactiveLOWoutputenable(OE),andthree-statedrivers.Thisdevicehasanautomaticpower-downfeaturethatsign	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C1019-12VC	文件：160.62 Kbytes Page：8 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription TheCY7C1019isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE),anactiveLOWoutputenable(OE),andthree-statedrivers.Thisdevicehasanautomaticpower-downfeaturethatsign	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C1019-15VC	文件：160.62 Kbytes Page：8 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription TheCY7C1019isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE),anactiveLOWoutputenable(OE),andthree-statedrivers.Thisdevicehasanautomaticpower-downfeaturethatsign	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C10191B	文件：194.66 Kbytes Page：9 Pages	128K x 8 Static RAM Features •Highspeed —tAA=10,12,15ns •CMOSforoptimumspeed/power •Centerpower/groundpinout •Automaticpower-downwhendeselected •EasymemoryexpansionwithCEandOEoptions •FunctionallyequivalenttoCY7C1019	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C10191B-10VC	文件：194.66 Kbytes Page：9 Pages	128K x 8 Static RAM Features •Highspeed —tAA=10,12,15ns •CMOSforoptimumspeed/power •Centerpower/groundpinout •Automaticpower-downwhendeselected •EasymemoryexpansionwithCEandOEoptions •FunctionallyequivalenttoCY7C1019	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C10191B-10VI	文件：194.66 Kbytes Page：9 Pages	128K x 8 Static RAM Features •Highspeed —tAA=10,12,15ns •CMOSforoptimumspeed/power •Centerpower/groundpinout •Automaticpower-downwhendeselected •EasymemoryexpansionwithCEandOEoptions •FunctionallyequivalenttoCY7C1019	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C10191B-10ZC	文件：194.66 Kbytes Page：9 Pages	128K x 8 Static RAM Features •Highspeed —tAA=10,12,15ns •CMOSforoptimumspeed/power •Centerpower/groundpinout •Automaticpower-downwhendeselected •EasymemoryexpansionwithCEandOEoptions •FunctionallyequivalenttoCY7C1019	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C10191B-10ZI	文件：194.66 Kbytes Page：9 Pages	128K x 8 Static RAM Features •Highspeed —tAA=10,12,15ns •CMOSforoptimumspeed/power •Centerpower/groundpinout •Automaticpower-downwhendeselected •EasymemoryexpansionwithCEandOEoptions •FunctionallyequivalenttoCY7C1019	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY7C10191B-12VC	文件：194.66 Kbytes Page：9 Pages	128K x 8 Static RAM Features •Highspeed —tAA=10,12,15ns •CMOSforoptimumspeed/power •Centerpower/groundpinout •Automaticpower-downwhendeselected •EasymemoryexpansionwithCEandOEoptions •FunctionallyequivalenttoCY7C1019	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

技术参数

存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb （128K x 8）
写周期时间 - 字，页：
12ns
访问时间：
12ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
32-SOIC（0.400\，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
32-TSOP II

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