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CY14B104NA-ZS25XET	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II	CYP Cypress Semiconductor Corp	CYP
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CY14B104NA-ZS25XI	文件：961.93 Kbytes Page：25 Pages	4-Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM20ns,25ns,and45nsaccesstimes	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B104NA-ZS25XI	文件：991.18 Kbytes Page：24 Pages	4-Mbit(512K횞8/256K횞16)nvSRAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B104NA-ZS25XI	文件：977.41 Kbytes Page：26 Pages	4-Mbit(512K횞8/256K횞16)nvSRAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B104NA-ZS25XI	文件：988.32 Kbytes Page：26 Pages	4-Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B104NA-ZS25XIT	文件：991.18 Kbytes Page：24 Pages	4-Mbit(512K횞8/256K횞16)nvSRAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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产品属性

产品编号：
CY14B104NA-ZS25XET
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
散装
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
4Mb（256K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP II
描述：
IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II

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