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CY14B101K-SP45XIT	文件：1.3597 Mbytes Page：24 Pages	1 Mbit (128K x 8) nvSRAM With Real-Time Clock FunctionalDescription TheCypressCY14B101Kcombinesa1MbitnonvolatilestaticRAMwithafullfeaturedrealtimeclockinamonolithicintegratedcircuit.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTrap™technologyproducingtheworld’smostreliablenonvolatilememory.TheSRAMis	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B101K-SP45XIT	文件：717.09 Kbytes Page：24 Pages	1 Mbit (128K x 8) nvSRAM With Real Time Clock	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B101K-SP45XIT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：48-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP	CYP Cypress Semiconductor Corp	CYP
CY14B101K-SP45XC	文件：717.09 Kbytes Page：24 Pages	1Mbit(128Kx8)nvSRAMWithRealTimeClock	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B101K-SP45XCT	文件：717.09 Kbytes Page：24 Pages	1Mbit(128Kx8)nvSRAMWithRealTimeClock	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B101K-SP45XCT	文件：1.3597 Mbytes Page：24 Pages	1Mbit(128Kx8)nvSRAMWithReal-TimeClock FunctionalDescription TheCypressCY14B101Kcombinesa1MbitnonvolatilestaticRAMwithafullfeaturedrealtimeclockinamonolithicintegratedcircuit.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTrap™technologyproducingtheworld’smostreliablenonvolatilememory.TheSRAMis	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B101K-SP45XI	文件：717.09 Kbytes Page：24 Pages	1Mbit(128Kx8)nvSRAMWithRealTimeClock	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B101K-SP45XI	文件：1.3597 Mbytes Page：24 Pages	1Mbit(128Kx8)nvSRAMWithReal-TimeClock FunctionalDescription TheCypressCY14B101Kcombinesa1MbitnonvolatilestaticRAMwithafullfeaturedrealtimeclockinamonolithicintegratedcircuit.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTrap™technologyproducingtheworld’smostreliablenonvolatilememory.TheSRAMis	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

产品属性

产品编号：
CY14B101K-SP45XIT
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
45ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
48-SSOP
描述：
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP

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