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CSD87313DMS	文件：704.77 Kbytes Page：15 Pages	CSD87313DMS 30-V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features 1• Low-Source-to-Source On Resistance • Dual Common Drain N-Channel MOSFETs • Optimized for 5-V Gate Drive • Low Qg and Qgd • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applic 文件：704.77 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87313DMS	文件：1.15078 Mbytes Page：16 Pages	30-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：1.15078 Mbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87313DMS.B	文件：704.77 Kbytes Page：15 Pages	丝印：CSD87313；Package：WSON；CSD87313DMS 30-V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features 1• Low-Source-to-Source On Resistance • Dual Common Drain N-Channel MOSFETs • Optimized for 5-V Gate Drive • Low Qg and Qgd • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applic 文件：704.77 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87313DMST	文件：704.77 Kbytes Page：15 Pages	丝印：CSD87313；Package：WSON；CSD87313DMS 30-V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features 1• Low-Source-to-Source On Resistance • Dual Common Drain N-Channel MOSFETs • Optimized for 5-V Gate Drive • Low Qg and Qgd • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applic 文件：704.77 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87313DMST.B	文件：704.77 Kbytes Page：15 Pages	丝印：CSD87313；Package：WSON；CSD87313DMS 30-V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features 1• Low-Source-to-Source On Resistance • Dual Common Drain N-Channel MOSFETs • Optimized for 5-V Gate Drive • Low Qg and Qgd • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applic 文件：704.77 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87313DMST	文件：1.15078 Mbytes Page：16 Pages	30-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：1.15078 Mbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87313DMS	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87313DMS 是一款 30V 共漏极、双路 N 通道器件，专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3mm × 3.3mm SON 器件具有低源极至源极导通电阻，可最大限度地较少损耗，且具有较少的组件数量，适用于空间受限的应用。 • 低源极至源极导通电阻\n• 双共漏极 N 通道 MOSFET\n• 针对 5V 栅极驱动进行了优化\n• 低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Dual Common Drain
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
5.5
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
120
QG typ (nC)：
28
QGD typ (nC)：
6
Package (mm)：
SON3x3
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
0.9
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
17
ID - package limited (A)：
17
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	CSD87313DMS	TI/德州仪器	25+	SON3x3	20300	TI/德州仪器原装特价CSD87313DMS即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多CSD87313DMS供应商更新时间2025-10-7 14:14:00

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