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CSD19538Q2	文件：1.67737 Mbytes Page：19 Pages	丝印：1958；Package：WSON；CSD19538Q2 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low-thermal resistance • Avalanche rated • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • SON 2mm × 2mm plastic package 2 Applications • Power over ethernet (PoE) • Power sourcing equipment (PSE) • Motor control Description This 100V, 49mΩ, SON 2mm 文件：1.67737 Mbytes 页数：19 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19538Q2	文件：402.59 Kbytes Page：14 Pages	100V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：402.59 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19538Q2	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 100V、49mΩ、采用 2mm × 2mm SON 封装的 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。 • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 无铅\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装;	TI 德州仪器	TI
CSD19538Q2_V01	文件：1.67737 Mbytes Page：19 Pages	CSD19538Q2 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low-thermal resistance • Avalanche rated • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • SON 2mm × 2mm plastic package 2 Applications • Power over ethernet (PoE) • Power sourcing equipment (PSE) • Motor control Description This 100V, 49mΩ, SON 2mm 文件：1.67737 Mbytes 页数：19 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19538Q2R	文件：1.67737 Mbytes Page：19 Pages	丝印：1958；Package：WSON；CSD19538Q2 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low-thermal resistance • Avalanche rated • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • SON 2mm × 2mm plastic package 2 Applications • Power over ethernet (PoE) • Power sourcing equipment (PSE) • Motor control Description This 100V, 49mΩ, SON 2mm 文件：1.67737 Mbytes 页数：19 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19538Q2T	文件：1.67737 Mbytes Page：19 Pages	丝印：1958；Package：WSON；CSD19538Q2 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low-thermal resistance • Avalanche rated • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • SON 2mm × 2mm plastic package 2 Applications • Power over ethernet (PoE) • Power sourcing equipment (PSE) • Motor control Description This 100V, 49mΩ, SON 2mm 文件：1.67737 Mbytes 页数：19 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19538Q2T	文件：402.59 Kbytes Page：14 Pages	100V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：402.59 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
59
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
34.4
QG typ (nC)：
4.3
QGD typ (nC)：
0.8
Package (mm)：
SON2x2
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
3.2
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
13.1
ID - package limited (A)：
14.4
Logic level：
No

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更多CSD19538Q2供应商更新时间2025-10-8 15:08:00

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