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CSD18514Q5A	文件：644.84 Kbytes Page：15 Pages	丝印：CSD18514；Package：VSONP；CSD18514Q5A 40-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low RDS(ON) • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Battery Motor Control 3 Desc 文件：644.84 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18514Q5A	文件：450.29 Kbytes Page：13 Pages	CSD18514Q5A 40-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：450.29 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18514Q5A.B	文件：644.84 Kbytes Page：15 Pages	丝印：CSD18514；Package：VSONP；CSD18514Q5A 40-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low RDS(ON) • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Battery Motor Control 3 Desc 文件：644.84 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18514Q5AT	文件：644.84 Kbytes Page：15 Pages	丝印：CSD18514；Package：VSONP；CSD18514Q5A 40-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low RDS(ON) • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Battery Motor Control 3 Desc 文件：644.84 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18514Q5AT.B	文件：644.84 Kbytes Page：15 Pages	丝印：CSD18514；Package：VSONP；CSD18514Q5A 40-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low RDS(ON) • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Battery Motor Control 3 Desc 文件：644.84 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18514Q5AT	文件：450.29 Kbytes Page：13 Pages	CSD18514Q5A 40-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：450.29 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18514Q5A	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、4.1mΩ、 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。 • 低 RDS(ON)\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 逻辑电平\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
7.9
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
4.9
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
237
QG typ (nC)：
29
QGD typ (nC)：
5
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
1.8
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
89
ID - package limited (A)：
50
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CSD18514Q5A供应商更新时间2025-10-5 10:31:00

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