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CSD18511Q5A	文件：795.77 Kbytes Page：15 Pages	丝印：CSD18511；Package：VSONP；CSD18511Q5A 40 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low RDS(ON) • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Battery Motor Control 3 Descri 文件：795.77 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18511Q5A	文件：602.27 Kbytes Page：13 Pages	CSD18511Q5A 40 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：602.27 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18511Q5A.B	文件：795.77 Kbytes Page：15 Pages	丝印：CSD18511；Package：VSONP；CSD18511Q5A 40 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low RDS(ON) • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Battery Motor Control 3 Descri 文件：795.77 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18511Q5AT	文件：795.77 Kbytes Page：15 Pages	丝印：CSD18511；Package：VSONP；CSD18511Q5A 40 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low RDS(ON) • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Battery Motor Control 3 Descri 文件：795.77 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18511Q5AT.B	文件：795.77 Kbytes Page：15 Pages	丝印：CSD18511；Package：VSONP；CSD18511Q5A 40 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low RDS(ON) • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Battery Motor Control 3 Descri 文件：795.77 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18511Q5AT	文件：602.27 Kbytes Page：13 Pages	CSD18511Q5A 40 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：602.27 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18511Q5A	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 40V，1.9mΩ，SON 5mm × 6mmNexFET功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率损耗。 • 低 RDS(ON)\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 逻辑电平\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
3.5
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
2.3
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
400
QG typ (nC)：
63
QGD typ (nC)：
11.2
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
1.8
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
159
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	CSD18511Q5A	TI/德州仪器	25+	VSONP-8	32360	TI/德州仪器全新特价CSD18511Q5A即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多CSD18511Q5A供应商更新时间2025-10-5 14:14:00

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