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CRF	文件：271.81 Kbytes Page：2 Pages	CRF Series - High Power Current Sense Chip Resistor 文件：271.81 Kbytes 页数：2 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
CRF	文件：641.33 Kbytes Page：5 Pages	7GHz High Frequency Reed 文件：641.33 Kbytes 页数：5 Pages	MEDER	MEDER
CRF02	文件：171.97 Kbytes Page：4 Pages	Power Supply Applications Power Supply Applications Strobo Flasher Applications • Repetitive peak reverse voltage: VRRM = 800 V • Average forward current: IF (AV) = 0.5 A • Low forward voltage: VFM = 3.0 V (max.) • Very fast reverse-recovery time: trr = 100 ns (max.) • Suitable for compact assembly due to its small s 文件：171.97 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
CRF03	文件：172.32 Kbytes Page：4 Pages	Switching Mode Power Supply Applications Switching Mode Power Supply Applications • Repetitive peak reverse voltage : VRRM = 600 V • Average forward current : IF (AV) = 0.7 A • Peak forward voltage : VFM = 2.0 V (max.) • Very fast reverse-recovery time : trr = 100 ns (max.) • Small, thin package suitable for high-density board assem 文件：172.32 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
CRF03-1A	文件：111.17 Kbytes Page：2 Pages	CRF Reed Relay CRF Reed Relay 文件：111.17 Kbytes 页数：2 Pages	MEDER	MEDER
CRF110	文件：949.73 Kbytes Page：5 Pages	Precision Fusible Safety Wirewound Resistors Precision Type “Z” preforming ; Other preforming available UL approval, file E330640 High pulse load up to 6[KV] 240[V] fusing application RoHs Compliant 文件：949.73 Kbytes 页数：5 Pages	VITROHM	VITROHM
CRF200	文件：949.73 Kbytes Page：5 Pages	Precision Fusible Safety Wirewound Resistors Precision Type “Z” preforming ; Other preforming available UL approval, file E330640 High pulse load up to 6[KV] 240[V] fusing application RoHs Compliant 文件：949.73 Kbytes 页数：5 Pages	VITROHM	VITROHM
CRF24010D	文件：843.78 Kbytes Page：8 Pages	10 W SiC RF Power MESFET Die 10 W SiC RF Power MESFET Die Cree’s CRF24010 is a silicon carbide (SiC) RF power Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor (MESFET). SiC has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher ther 文件：843.78 Kbytes 页数：8 Pages	Cree 科锐	Cree
CRF24060	文件：637.03 Kbytes Page：10 Pages	60 W, SiC RF Power MESFET 60 W, SiC RF Power MESFET Cree’s CRF24060 is an unmatched silicon carbide (SiC) RF power Metal Semiconductor Field-Effect Transistor (MESFET). SiC has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and hig 文件：637.03 Kbytes 页数：10 Pages	Cree 科锐	Cree
CRF24060D	文件：737.44 Kbytes Page：8 Pages	60 W SiC RF Power MESFET Die 60 W SiC RF Power MESFET Die Cree’s CRF24060 is a silicon carbide (SiC) RF power Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor (MESFET). SiC has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher ther 文件：737.44 Kbytes 页数：8 Pages	Cree 科锐	Cree

技术参数

Category：
Super fast-recovery diode
IF(AV) (Max)(A)：
0.7
VRRM (Max)(V)：
600
trr (Max)(nsec)：
100
Number of pins：
2
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
S-FLAT
AEC-Q101：
Qualified(*)
Width×Length×Height(mm)：
1.6 x 3.5 x 0.98
Package Size(mm^2)：
5.60

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更多CRF供应商更新时间2025-10-10 16:42:00

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