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CQY36N	文件：120.82 Kbytes Page：6 Pages	GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T-3/4) Package DESCRIPTION CQY36N is an infrared, 950 nm emitting diode in GaAs technology molded in a miniature, clear plastic package without lens. FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-¾ • Dimensions (in mm): Ø 1.8 • Peak wavelength: λp = 950 nm • High reliability • Angle of half intensity 文件：120.82 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
CQY36N	文件：97.61 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs DESCRIPTION CQY36N is an infrared, 950 nm emitting diode in GaAs technology molded in a miniature, clear plastic package without lens. FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-¾ • Dimensions (in mm): Ø 1.8 • Peak wavelength: p = 950 nm • High reliability • Angle of half inten 文件：97.61 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
CQY36N	文件：95.57 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 文件：95.57 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
CQY36N	文件：99.05 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 文件：99.05 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
CQY36N	文件：98.33 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 文件：98.33 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
CQY36N_V02	文件：97.61 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs DESCRIPTION CQY36N is an infrared, 950 nm emitting diode in GaAs technology molded in a miniature, clear plastic package without lens. FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-¾ • Dimensions (in mm): Ø 1.8 • Peak wavelength: p = 950 nm • High reliability • Angle of half inten 文件：97.61 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
CQY36N_08	文件：99.05 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 文件：99.05 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
CQY36N_11	文件：95.57 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 文件：95.57 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
CQY36N_V01	文件：98.33 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 文件：98.33 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
CQY36N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs Package type: leaded\n Package form: T-¾\n Dimensions (in mm): Ø 1.8\n\n ;	Vishay 威世	Vishay

产品属性

产品编号：
CQY36N
制造商：
Vishay Semiconductor Opto Division
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
散装
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
100mA
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
0.7mW/sr @ 50mA
波长：
950nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.3V
视角：
110°
方向：
顶视图
工作温度：
-25°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向，1.8mm（T-3/4）
描述：
EMITTER IR 950NM 100MA RADIAL

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