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CPH5852	文件：56.23 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFET SBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypecontainingaP-ChannelMOSFET(MCH3312)andaSchottkyBarrierDiode(SB1003M3),facilitatinghigh-densitymounting. •[MOS] •LowON-resistance •Ultrahigh-speedswitching •4Vdrive •[SBD]	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
5852	文件：69.76 Kbytes Page：3 Pages	CustomerSpecification	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
5852	文件：98.68 Kbytes Page：4 Pages	CustomerSpecification Construction 1)Component11X1HOOKUP a)Conductor28(7/36)AWGSilverPlatedCopper0.015 b)Insulation0.010Wall,Nom.PTFE0.035+/-0.004 (1)Color(s) WHITE,BLACK,RED,GREEN,YELLOW,BLUE,BROWN ORANGE,GRAY,VIOLET,WHITE/BLACK,WHITE/BLUE WHITE/ORANGE,WHITE/VIOLET	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
5852	文件：3.18812 Mbytes Page：60 Pages	IntroductiontoKnowlesPrecisionDevices Applications RFamplifier LCFiltersandNetworks BroadbandWirelessLAN MedicalDevices CordlessandCellularphones DR/CrystalOscillator Microstriplinefilters	KNOWLESKnowles Knowles	KNOWLES
IRF5852	文件：132.21 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5852	文件：130.009 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5852	文件：239.7 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=20V) Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRF5852TR	文件：132.21 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5852TRPBF	文件：130.009 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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KS5852	文件：315.69 Kbytes Page：6 Pages	CMOSINTEGRATEDCIRCUIT	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung

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详细参数

型号：
CPH5852
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
MOSFET
：
P-Channel Silicon MOSFET SBD
：
Schottky Barrier Diode

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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