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CPH3356	文件：499.67 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This devices is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements Features • Low On-Resistance • 1.8V dr 文件：499.67 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH3356	文件：400.34 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications Features • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：400.34 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
CPH3356	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single P-Channel Power MOSFET, -20V, -2.5A, 137mΩ This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This devices is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements. • 1.8V Drive\n• Drive at low voltage\n• Low On-Resistance\n• Minimize conduction loss\n• ESD Diode - Protected Gate\n• ESD resistance\n• RoHS Compliance\n• Environment friendliness;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH3356-TL-H	文件：499.67 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This devices is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements Features • Low On-Resistance • 1.8V dr 文件：499.67 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH3356-TL-W	文件：499.67 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This devices is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements Features • Low On-Resistance • 1.8V dr 文件：499.67 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH3356_12	文件：533.43 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：533.43 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
CPH3356-TL-H	文件：533.43 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：533.43 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
10
VGS(th) Max (V)：
1.4
ID Max (A)：
-2.5
PD Max (W)：
1
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
203
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
137
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
4.7
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
3.3
Ciss Typ (pF)：
250
Package Type：
CPH-3

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