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CP773	文件：658.22 Kbytes Page：2 Pages	MOSFET Transistor P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip PROCESS DETAILS Die Size 39 x 27 MILS Die Thickness 7.5 MILS Gate Bonding Pad Area 6.5 x 6.5 MILS Source Bonding Pad Area 30 x 20 MILS Top Side Metalization Al - 40,000Å Back Side Metalization Ti/Ni/Ag - 1,000Å/3,000Å/10,000Å 文件：658.22 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CP773-CMPDM302PH	文件：859.96 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET Die Enhancement-Mode 文件：859.96 Kbytes 页数：5 Pages	Central	Central
CP773-CMPDM302PH-CT	文件：859.96 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET Die Enhancement-Mode 文件：859.96 Kbytes 页数：5 Pages	Central	Central
CP773-CMPDM302PH-WN	文件：859.96 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET Die Enhancement-Mode 文件：859.96 Kbytes 页数：5 Pages	Central	Central
CP773-CMPDM302PH	文件：300 bytes Page：1 Pages	Chip Form: P-Chan Enhancement Mode MOSFET	Central	Central

技术参数

Case：
Chip_Packaging
Configuration/ Description：
Bare die 27.000 X 39.000
Polarity：
P-CH
VDS MAX：
30V
VGS MAX：
12V
ID MAX：
2.4A
PD MAX：
350mW
rDS(ON) MAX：
0.129Ω
@VGS：
2.5V
@ID：
1.2A
Qg TYP：
7nc
Qg MAX：
9.6nc

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
瑞航达科技(深圳)有限公司	CP7739ATT	CYPRESS	19+		565	原装正品	询价
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更多CP773供应商更新时间2025-11-19 15:01:00

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