CP250

NPN - High Voltage Transistor Chip

PowerTransistor NPN-HighVoltageTransistorChip PROCESSDETAILS DieSize99x69MILS DieThickness11.6MILS BaseBondingPadArea18x21MILS EmitterBondingPadArea18x26MILS TopSideMetalizationAl-Si-60,000Å BackSideMetalizationTi/Ni/Au-5,500Å

CP2500

HIGH CURRENT SILICON BRIDGE RECTIFIERS(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 15 to 35 Amperes)

VOLTAGE-50to800VoltsCURRENT-15to35Amperes FEATURES •PlasticCaseWithHeatsinkForHeatDissipation •SurgeOverloadRatingsto400Amperes •TheplasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O

CP2501

HIGH CURRENT SILICON BRIDGE RECTIFIERS(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 15 to 35 Amperes)

VOLTAGE-50to800VoltsCURRENT-15to35Amperes FEATURES •PlasticCaseWithHeatsinkForHeatDissipation •SurgeOverloadRatingsto400Amperes •TheplasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O

CP2501-DK

CP250X DEVELOPMENT KIT

KitContents TheCP250xDevelopmentKitcontainsthefollowingitems: ■CP250xMotherboard ■CP2501DevelopmentDaughterBoard ■CP250xDevelopmentKitQuick-StartGuide ■ProductinformationCD-ROMincludingthefollowing: ●SiliconLaboratoriesIntegratedDevelopmentEnvironment(IDE)

CP2502

HIGH CURRENT SILICON BRIDGE RECTIFIERS(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 15 to 35 Amperes)

VOLTAGE-50to800VoltsCURRENT-15to35Amperes FEATURES •PlasticCaseWithHeatsinkForHeatDissipation •SurgeOverloadRatingsto400Amperes •TheplasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O

CP2504

HIGH CURRENT SILICON BRIDGE RECTIFIERS(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 15 to 35 Amperes)

VOLTAGE-50to800VoltsCURRENT-15to35Amperes FEATURES •PlasticCaseWithHeatsinkForHeatDissipation •SurgeOverloadRatingsto400Amperes •TheplasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O

CP2506

HIGH CURRENT SILICON BRIDGE RECTIFIERS(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 15 to 35 Amperes)

VOLTAGE-50to800VoltsCURRENT-15to35Amperes FEATURES •PlasticCaseWithHeatsinkForHeatDissipation •SurgeOverloadRatingsto400Amperes •TheplasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O

CP2508

HIGH CURRENT SILICON BRIDGE RECTIFIERS(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 15 to 35 Amperes)

VOLTAGE-50to800VoltsCURRENT-15to35Amperes FEATURES •PlasticCaseWithHeatsinkForHeatDissipation •SurgeOverloadRatingsto400Amperes •TheplasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O

CP2526LP

六路电容性触摸检测芯片; -6路感应通道，每路灵敏度可单独调节\n-触摸响应时间：18～20ms @正常模式，120ms @省电模式\n-电容检测范围：0～80pF，检测分辨率典型值为0.02pF，且分辨率可调\n-工作电压范围为2.8V～5.5V\n-内建振荡器、上电复位系统和高PSRR 的LDO\n-相邻感应通道抑制功能(ASS)\n-专用感应判断算法能自适应环境变化\n-按键状态通过GPIO 直接输出，支持开漏输出\n-CMOS 工艺，QFN32、LQFP32 和SOP28 三种封装;

CP2526 是一款支持6 通道的电容式触摸传感芯片。内嵌高精度电容数字转换（CDC）模块，并结合专用DSP处理器，能在各种应用环境下准确识别人手指的触摸。芯片支持IIC 总线和SPI 总线，同时提供6 位可扩展GPIO。感应判断结果可选择串口输出或GPIO输出。独特的 CDC 技术可以检测到电容变化，并把该变化量转换成数字信号。转换后的数字信号经过硬件低通和DSP 处理，最后获得触摸感应判断。硬件滤波器可解决输入信号的抖动。集成特殊判断算法的DSP 处理器能实时计算出每个感应通道的状态。感应判决算法具有自校准功能，能适应多种应用环境的变化。CP2526 支持两种配置模式，软件模式和硬件模式。软件模式下，按键状态可以通过读取按键状态寄存器获取或者直接通过GPIO 引脚获取；硬件模式下不支持串口访问，按键状态直接通过GPIO输出。芯片在正常工作模式下，功耗为400uA。CP2526 采用CMOS 工艺，可工作于2.8V ~ 5.5V，有5mm x 5mm QFN32 和7mm x 7mm LQFP32 和7.6mm x 17.5mm SOP28 三种封装。CP2526 QFN32 和LQFP32 的封装形式，同时支持软件模式和硬件模式，而SOP28 封装形式只支持硬件模式。 CP2526适用于家电、电梯、安防、控制器等产品。

CP2526QN

六路电容性触摸检测芯片; -6路感应通道，每路灵敏度可单独调节\n-触摸响应时间：18～20ms @正常模式，120ms @省电模式\n-电容检测范围：0～80pF，检测分辨率典型值为0.02pF，且分辨率可调\n-工作电压范围为2.8V～5.5V\n-内建振荡器、上电复位系统和高PSRR 的LDO\n-相邻感应通道抑制功能(ASS)\n-专用感应判断算法能自适应环境变化\n-按键状态通过GPIO 直接输出，支持开漏输出\n-CMOS 工艺，QFN32、LQFP32 和SOP28 三种封装;

CP2526 是一款支持6 通道的电容式触摸传感芯片。内嵌高精度电容数字转换（CDC）模块，并结合专用DSP处理器，能在各种应用环境下准确识别人手指的触摸。芯片支持IIC 总线和SPI 总线，同时提供6 位可扩展GPIO。感应判断结果可选择串口输出或GPIO输出。独特的 CDC 技术可以检测到电容变化，并把该变化量转换成数字信号。转换后的数字信号经过硬件低通和DSP 处理，最后获得触摸感应判断。硬件滤波器可解决输入信号的抖动。集成特殊判断算法的DSP 处理器能实时计算出每个感应通道的状态。感应判决算法具有自校准功能，能适应多种应用环境的变化。CP2526 支持两种配置模式，软件模式和硬件模式。软件模式下，按键状态可以通过读取按键状态寄存器获取或者直接通过GPIO 引脚获取；硬件模式下不支持串口访问，按键状态直接通过GPIO输出。芯片在正常工作模式下，功耗为400uA。CP2526 采用CMOS 工艺，可工作于2.8V ~ 5.5V，有5mm x 5mm QFN32 和7mm x 7mm LQFP32 和7.6mm x 17.5mm SOP28 三种封装。CP2526 QFN32 和LQFP32 的封装形式，同时支持软件模式和硬件模式，而SOP28 封装形式只支持硬件模式。 CP2526适用于家电、电梯、安防、控制器等产品。