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CEZ10R10A	文件：860.38 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,64A,RDS(ON)=9.6mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=15.5mW@VGS=6V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEZ10R10AL	文件：860.13 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,65A,RDS(ON)=9.4mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=14mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
SNN10R10LD	文件：467.56 Kbytes Page：8 Pages	N-ChTrenchMOSFET	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SNN10R10LF	文件：467.95 Kbytes Page：8 Pages	N-ChTrenchMOSFET	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI

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