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CMPA2060035D	文件：400.4 Kbytes Page：8 Pages	35 W, 2.0 - 6.0 GHz, GaN MMIC, Power Amplifier Description Cree’sCMP2060035Disagalliumnitride(GaN)HighElectronMobilityTransistor (HEMT)basedmonolithicmicrowaveintegratedcircuit(MMIC).GaNhassuperior propertiescomparedtosiliconorgalliumarsenide,includinghigherbreakdown voltage,highersaturatedelectrondriftvelo	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
CMPA2060035F	文件：1.02124 Mbytes Page：10 Pages	35W,2.0-6.0GHz,GaNMMICPowerAmplifier Description Wolfspeed’sCMPA2060035Fisagalliumnitride(GaN)HighElectron MobilityTransistor(HEMT)basedmonolithicmicrowaveintegrated circuit(MMIC).GaNhassuperiorpropertiescomparedtosiliconor galliumarsenide,includinghigherbreakdownvoltage,highersaturated electrondri	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED

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CMPA2060035D

文件：400.4 Kbytes

Page：8 Pages

35 W, 2.0 - 6.0 GHz, GaN MMIC, Power Amplifier

Description Cree’sCMP2060035Disagalliumnitride(GaN)HighElectronMobilityTransistor (HEMT)basedmonolithicmicrowaveintegratedcircuit(MMIC).GaNhassuperior propertiescomparedtosiliconorgalliumarsenide,includinghigherbreakdown voltage,highersaturatedelectrondriftvelo

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CMPA2060035F

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35W,2.0-6.0GHz,GaNMMICPowerAmplifier

Description Wolfspeed’sCMPA2060035Fisagalliumnitride(GaN)HighElectron MobilityTransistor(HEMT)basedmonolithicmicrowaveintegrated circuit(MMIC).GaNhassuperiorpropertiescomparedtosiliconor galliumarsenide,includinghigherbreakdownvoltage,highersaturated electrondri

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更多CMPA2060035D供应商更新时间2024-6-4 15:00:00

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