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CMPA1C1D060D	文件：237.11 Kbytes Page：8 Pages	60 W, 12.7 - 13.25 GHz, 40 V, GaN MMIC, Power Amplifier Description Wolfspeed’sCMPA1C1D060Disagalliumnitride(GaN)High ElectronMobilityTransistor(HEMT)basedmonolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC)onaSiliconCarbidesubstrate,usinga 0.25μmgatelengthfabricationprocess.GaN-on-SiChassuperior propertiescomparedtosilicon	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
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CMPA1C1D060D

文件：237.11 Kbytes

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60 W, 12.7 - 13.25 GHz, 40 V, GaN MMIC, Power Amplifier

Description Wolfspeed’sCMPA1C1D060Disagalliumnitride(GaN)High ElectronMobilityTransistor(HEMT)basedmonolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC)onaSiliconCarbidesubstrate,usinga 0.25μmgatelengthfabricationprocess.GaN-on-SiChassuperior propertiescomparedtosilicon

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

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CMPA1C1D060D

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60 W, 12.7 - 13.25 GHz, 40 V, GaN MMIC, Power Amplifier

CreeCree, Inc

科锐

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兆亿微波(北京)科技有限公司	CMPA1C1D080F	Wolfspeed			938		询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	CMPA1D1E025F	Wolfspeed	24+	SMD	8000	射频放大器	询价
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更多CMPA1C1D060D供应商更新时间2025-7-19 10:05:00

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