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CMF147

Bandpass Filter

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APITECH

CP147

Power Transistor NPN - Darlington Chip

PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL BASE Die Size 195 X 195 MILS Die Thickness 12 MILS Base Bonding Pad Area 29 X 29 MILS Emitter Bonding Pad Area 61 X 35 MILS Top Side Metalization Al - 30,000Å Back Side Metalization Ti/Ni/Au - Ni-6,000Å; Au-6,000Å

文件:207.46 Kbytes 页数:2 Pages

Central

CS147

MAXIMUM RATINGS, ELECTRICAL SPECIFICATIONS

文件:634.08 Kbytes 页数:2 Pages

COTO

CS147

Contact Form: 1a Load Voltage: 80V Maximum

文件:368.82 Kbytes 页数:2 Pages

COTO

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOD-123F
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SOD123F
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Gowanda Electronics
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更多CMF147供应商 更新时间2025-10-5 15:16:00