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CJ2321	文件：1.20371 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel 20-V(D-S) MOSFET 文件：1.20371 Mbytes 页数：5 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
CJ2321	文件：1.0031 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS 文件：1.0031 Mbytes 页数：3 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJ2321	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel MOSFET	JSCJ 长晶科技	JSCJ
CJ2321A	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel MOSFET	JSCJ 长晶科技	JSCJ

技术参数

Process：
Trench
ESDYes/No：
No
VDSV：
-20
VGSV：
±12
IDA：
-2.9
VGS(TH)V：
-0.4~-0.9
RDS(mΩ)@VGS4.5V Typ：
35
RDS(mΩ)@VGS4.5V Max：
57
Package：
SOT-23

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