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CHL8515

High?륟fficiency Variable Gate MOSFET Driver

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IRF

CHL8515

High?륟fficiency Variable Gate MOSFET Driver

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IRF

CHL8515

具有可变栅极驱动 (VGD) 和可编程过温警告的 5V 高效 MOSFET 驱动器

\n优势:\n• 特别适用于 +5V 服务器存储应用\n• 单独 HVCC 和 LVCC,能够驱动 4.0 到 13.2V 电压,优化系统效率\n• 可调节热警告,实现逐相热保护\n• 大型驱动器,用于在 < 10ns 内驱动 3nF,并向 HVCC 和 LVCC 引脚供应从 5V 至 12V(典型)的任意电压\n• 低边驱动器——2A 拉电流/  4A 灌电流\n• 高边驱动器——2A 拉电流/  2A 灌电流\n• 转换时间和传播延迟小于 20 纳秒\n• 集成自举二极管\n• 可实现 200kHz 到 1Mhz 以上的高开关频率\n• 兼容 CHiL 专利有源三电平 (ATL) PWM,;

Infineon

英飞凌

CHL8515_15

High?륟fficiency Variable Gate MOSFET Driver

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IRF

CHL8515CRT

High?륟fficiency Variable Gate MOSFET Driver

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IRF

CHL8515CRT

Package:10-VFDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    CHL8515

  • 功能描述:

    MOSFET XPHASE

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多CHL8515供应商 更新时间2025-10-4 13:01:00