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FCX558TA	文件：297.79 Kbytes Page：6 Pages	400VPNPSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTORINSOT89 Features ●BVCEO>-400V ●IC=-200mAHighContinuousCurrent ●ICM=-500mAPeakPulseCurrent ●ExcellenthFECharacteristicsupto-100mA ●LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT558	文件：122.94 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR FEATURES ExcellenthFEcharacteristicsatIC=100mA Lowsaturationvoltages COMPLEMENTARYTYPE-FMMT458 PARTMARKINGDETAIL-558	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT558	文件：127.15 Kbytes Page：2 Pages	SOT23PNPSILICONPLANAR Features •BVCEO>-400V •IC=-150mAhighContinuousCollectorCurrent •ICM=-500mAPeakPulseCurrent •500mWPowerDissipation •ExcellenthFECharacteristicsUpTo-100mA •ComplementaryNPNType:FMMT458 •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Note1&2) •Halogenand	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT558	文件：406.04 Kbytes Page：7 Pages	400VPNPHIGHVOLTAGETRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>-400V •IC=-150mAhighContinuousCollectorCurrent •ICM=-500mAPeakPulseCurrent •500mWPowerDissipation •ExcellenthFECharacteristicsUpTo-100mA •ComplementaryNPNType:FMMT458 •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Note1&2) •Halogenand	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT558QTA	文件：406.04 Kbytes Page：7 Pages	400VPNPHIGHVOLTAGETRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>-400V •IC=-150mAhighContinuousCollectorCurrent •ICM=-500mAPeakPulseCurrent •500mWPowerDissipation •ExcellenthFECharacteristicsUpTo-100mA •ComplementaryNPNType:FMMT458 •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Note1&2) •Halogenand	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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FMMT558TA	文件：406.04 Kbytes Page：7 Pages	400VPNPHIGHVOLTAGETRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>-400V •IC=-150mAhighContinuousCollectorCurrent •ICM=-500mAPeakPulseCurrent •500mWPowerDissipation •ExcellenthFECharacteristicsUpTo-100mA •ComplementaryNPNType:FMMT458 •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Note1&2) •Halogenand	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT558TC	文件：406.04 Kbytes Page：7 Pages	400VPNPHIGHVOLTAGETRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>-400V •IC=-150mAhighContinuousCollectorCurrent •ICM=-500mAPeakPulseCurrent •500mWPowerDissipation •ExcellenthFECharacteristicsUpTo-100mA •ComplementaryNPNType:FMMT458 •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Note1&2) •Halogenand	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT558	文件：110.31 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHVOLTAGETRANSISTOR FEATURES 400VoltVCEO 200mAcontinuouscurrent *Ptot=2Watt	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

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