CGHV60040D中文资料40-W, 6.0-GHz, GaN HEMT Die数据手册MACOM规格书

厂商型号	CGHV60040D
参数属性	CGHV60040D 封装/外壳为模具；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF MOSFET HEMT 50V DIE
功能描述	40-W, 6.0-GHz, GaN HEMT Die
封装外壳	模具
制造商	MACOM Tyco Electronics
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-9-25 18:25:00
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CGHV60040D规格书详情

描述 Description

Wolfspeed’s CGHV60040D is a gallium-nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT). GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated-electron-drift velocity, and higher thermal conductivity. GaN HEMTs offer greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors.

特性 Features

·Up to 6-GHz operation

技术参数

制造商编号
：CGHV60040D
生产厂家
：MACOM
Application
：General-Purpose Broadband
Typical Power Added Efficiency PAE
：65 %
Typical Power (PSAT)
：40 W
Operating Voltage
：50 V
Breakdown Voltage
：High
Frequency
：6.0 GHz
Package Type
：Die
Small Signal Gain
：18 dB @ 4 GHz 17 dB @ 6 GHz

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