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LMC835V	文件：474.13 Kbytes Page：18 Pages	LMC835DigitalControlledGraphicEqualizer	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LSM835	文件：99.22 Kbytes Page：2 Pages	8AmpSchottkyRectifier 8AmpSchottkyRectifier ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●LowForwardVoltage ●150°CJunctionTemperature ●VRRM35to45Volts ●HighCurrentCapability	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
M835	文件：451.1 Kbytes Page：5 Pages	M840CONNECTORHARNESSVEHICLESANDOFF-HIGHWAYMACHINERY	DSEDeep Sea Electronics 深海DSE英国深海电子有限公司	DSE
MAX835	文件：77.71 Kbytes Page：8 Pages	Micropower,LatchingVoltageMonitorsinSOT23-5 GeneralDescription TheMAX834/MAX835micropowervoltagemonitorscontaina1.204Vprecisionbandgapreference,comparator,andlatchedoutputina5-pinSOT23package.Usingthelatchedoutputpreventsdeepdischargeofbatteries.TheMAX834hasanopen-drain,n-channeloutputdriver,whilethe	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX835	文件：280.75 Kbytes Page：9 Pages	Micropower,LatchingVoltageMonitorsinSOT23-5	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX835EUK-T	文件：77.71 Kbytes Page：8 Pages	Micropower,LatchingVoltageMonitorsinSOT23-5 GeneralDescription TheMAX834/MAX835micropowervoltagemonitorscontaina1.204Vprecisionbandgapreference,comparator,andlatchedoutputina5-pinSOT23package.Usingthelatchedoutputpreventsdeepdischargeofbatteries.TheMAX834hasanopen-drain,n-channeloutputdriver,whilethe	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX835EUK-T	文件：280.75 Kbytes Page：9 Pages	Micropower,LatchingVoltageMonitorsinSOT23-5	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MBR835	文件：64.33 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR835	文件：138.45 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinvert	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR835	文件：200.58 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE:30-100VCURRENT:8.0A FEATURES ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Guard	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

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