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CEZ10C3	文件：837.17 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V,255A,RDS(ON)=1mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=1.4mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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更多CEZ10C3供应商更新时间2025-7-12 14:01:00