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CEU6060N	文件：425.79 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■60V,34A,RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司
CEU6060N	文件：900.27 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
CEU6060N	文件：623.04 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V,34A,RDS(ON)=25mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired. TO-251&TO-252package.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEU6060N	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司
CEU6060N	文件：0 bytes Page：0 Pages	CET TO252	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司上传：深圳市尼博电子有限公司

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