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CES2313	文件：392.14 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-30V,-3.6A,RDS(ON)=60mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=90mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CES2313A	文件：415.02 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-30V,-3.8A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=86mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
2313-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2313-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2313-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2313-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2313-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
AM2313	文件：328.43 Kbytes Page：7 Pages	MOSFETP-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION TheAM2313isavailableinSOT-23Spackage. FEATURES -18V/3A, RDS(ON)=120mΩ(MAX)@VGS=-4.5V. RDS(ON)=150mΩ(MAX)@VGS=-2.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ReliableandRugged. AvailableinSOT-23SPackage APPLICATION PowerManag	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技
AM2313P	文件：245.35 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelLogicLevelMOSFET TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeHighCellDensityprocess.LowrDS(on)assuresminimalpowerlossandconservesenergy,makingthisdeviceidealforuseinpowermanagementcircuitry.Typicalapplicationsarevoltagecontrolsmallsignalswitch,powermanagementinportableandbatte	AnalogPower Analog Power
AP2313GN-HF	文件：63.3 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallPackageOutline	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
APM2313	文件：153.34 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-1.8A,RDS(ON)=108mΩ(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=135mΩ(typ.)@VGS=-2.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremely LowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquip	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM2313A	文件：153.34 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-1.8A,RDS(ON)=108mΩ(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=135mΩ(typ.)@VGS=-2.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremely LowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquip	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM2313AC-TR	文件：153.34 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-1.8A,RDS(ON)=108mΩ(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=135mΩ(typ.)@VGS=-2.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremely LowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquip	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
ATTINY2313	文件：2.69342 Mbytes Page：211 Pages	8-bitAVRMicrocontrollerwith2KBytesIn-SystemProgrammableFlash TheATtiny2313isalow-powerCMOS8-bitmicrocontrollerbasedontheAVRenhancedRISCarchitecture.Byexecutingpowerfulinstructionsinasingleclockcycle,theATtiny2313achievesthroughputsapproaching1MIPSperMHzallowingthesystemdesignertooptimizepowerconsumptionversusprocess	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
ATTINY2313	文件：1.79175 Mbytes Page：223 Pages	8-bitMicrocontrollerwith2KBytesIn-SystemProgrammableFlash TheATtiny2313isalow-powerCMOS8-bitmicrocontrollerbasedontheAVRenhancedRISCarchitecture.Byexecutingpowerfulinstructionsinasingleclockcycle,theATtiny2313achievesthroughputsapproaching1MIPSperMHzallowingthesystemdesignertooptimizepowerconsumptionversusprocess	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
ATTINY2313	文件：181.33 Kbytes Page：17 Pages	8-bitMicrocontrollerwith2KBytesIn-SystemProgrammableFlash	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
ATTINY2313	文件：3.84916 Mbytes Page：226 Pages	DataandNon-volatileProgramandDataMemories	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
ATTINY2313A	文件：635.84 Kbytes Page：20 Pages	8-bitMicrocontrollerwith2/4KBytesIn-SystemProgrammableFlash Overview TheATtiny2313A/4313isalow-powerCMOS8-bitmicrocontrollerbasedontheAVRenhancedRISCarchitecture.Byexecutingpowerfulinstructionsinasingleclockcycle,theATtiny2313A/4313achievesthroughputsapproaching1MIPSperMHzallowingthesystemdesignertooptimizepowercons	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
ATTINY2313A-MMH	文件：635.84 Kbytes Page：20 Pages	8-bitMicrocontrollerwith2/4KBytesIn-SystemProgrammableFlash Overview TheATtiny2313A/4313isalow-powerCMOS8-bitmicrocontrollerbasedontheAVRenhancedRISCarchitecture.Byexecutingpowerfulinstructionsinasingleclockcycle,theATtiny2313A/4313achievesthroughputsapproaching1MIPSperMHzallowingthesystemdesignertooptimizepowercons	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
ATTINY2313A-MU	文件：635.84 Kbytes Page：20 Pages	8-bitMicrocontrollerwith2/4KBytesIn-SystemProgrammableFlash Overview TheATtiny2313A/4313isalow-powerCMOS8-bitmicrocontrollerbasedontheAVRenhancedRISCarchitecture.Byexecutingpowerfulinstructionsinasingleclockcycle,theATtiny2313A/4313achievesthroughputsapproaching1MIPSperMHzallowingthesystemdesignertooptimizepowercons	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司

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详细参数

型号：
CES2313
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CES2313供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

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