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CES2309

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ -20V, -2.2A, RDS(ON) = 165mΩ @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 300mΩ @VGS = -2.5V. ■ High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ Rugged and reliable. ■ Lead free product is acquired. ■ SOT-23 package.

文件:139.06 Kbytes 页数:4 Pages

CET

华瑞

CES2309

P Channel MOSFET

CET

华瑞

CM2309

T-1 3/4 Bi-Pin Base (.125)

T-1 3/4 Bi-Pin Base (.125)

文件:218.38 Kbytes 页数:1 Pages

CML

CM2309

T-1 3/4 Bi-Pin Base (.125)

文件:220.86 Kbytes 页数:1 Pages

CML

CPB2309

Piezo Buzzer (DC)

文件:797.85 Kbytes 页数:1 Pages

CANOPUS

技术参数

  • BVDSS(V):

    -20/

  • Rds(on)mΩ@4.5V:

    165/

  • Rds(on)mΩ@2.5V:

    300/

  • ID(A):

    -2.2/

  • Qg(nC)@4.5V(typ):

    6.2/

  • RθJC(℃/W):

    100

  • Pd(W):

    1.25

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    P

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CET/華瑞
25+
SOT-23
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CET/華瑞全新特价CES2309即刻询购立享优惠#长期有货
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更多CES2309供应商 更新时间2025-10-4 14:14:00