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CEPF640	文件：507.74 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak for through hole. 文件：507.74 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CEPF640	文件：627.43 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak for through hole. Lead free product is acquired. 文件：627.43 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEPF640	文件：1.94346 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.94346 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
CEPF640	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CEPF640_08	文件：402.54 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：402.54 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET

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深圳市一线半导体有限公司	CEPF640	CET	24+	TO2203	50		询价
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深圳市卓越微芯电子有限公司	CEPF640	CET/华瑞	25+	TO-220	4500	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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更多CEPF640供应商更新时间2025-10-5 14:14:00