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CEM61807

Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -60V, -2.7A, RDS(ON) = 170mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 225mW @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant.

文件:372.72 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

CEM61807

P Channel MOSFET

CET

华瑞

CEP14A04

CET
TO251

CEP15M3

CET
TO251

CEP25A03

CET
TO251

技术参数

  • BVDSS(V):

    -60/

  • Rds(on)mΩ@10V:

    170/

  • Rds(on)mΩ@4.5V:

    225/

  • ID(A):

    -2.7/

  • Qg(nC)@4.5V(typ):

    3.3/

  • RθJC(℃/W):

    62.5

  • Pd(W):

    2

  • Configuration:

    Dual

  • Polarity:

    P

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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