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CEIF634	文件：731.74 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEIF634	文件：412.79 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEIF634	文件：85.8 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
634	文件：141.01 Kbytes Page：2 Pages	LowFrequencies	OSCILENT Oscilent Corporation	OSCILENT
634	文件：33.49 Kbytes Page：1 Pages	T-1SubminiatureLamps T-1¼SubminiatureLamps	GILWAY Gilway Technical Lamp	GILWAY
634HHU	文件：249.79 Kbytes Page：1 Pages	DCaxialfans	EBMPAPST ebm-papst	EBMPAPST
634M-SERIES	文件：330.91 Kbytes Page：3 Pages	634MSeriesD-SubConnectors\|MachinedPins\|HighDensityThreeContactRowswith0.350(8.89mm)FootprintRightAngleBend\|Receptacle Features HighDensityThreeContactRowswith.350(8.89mm)FootprintRightAngleBendwithMachinedContacts .090(2.29mm)ContactSpacing0.078(1.98mm)RowSpacing PlugandReceptaclein15,26,44or62ContactSizes PinandSocketContactMatingDesignwithP.C.TailTermination M	EDACEDAC, All Rights Reserved. 亚得电子亚得电子（东莞）有限公司	EDAC
ACE634	文件：1.02993 Mbytes Page：9 Pages	20VComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor Description TheACE634combinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. Features •N-Channel VDS(V)=20V ID=4A RDS(ON)	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
AFBR-x634Z	文件：464.42 Kbytes Page：11 Pages	DC-50MBdVersatileLinkFiberOpticTransmitter	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
AWM634TX	文件：257.519 Kbytes Page：10 Pages	2.4GHzVideo/AudioRFModule	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BD634	文件：244.97 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·DCCurrentGain-:hFE=40(Min.)@IC=-25mA ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-45V(Min.) ·ComplementtoTypeBD633 APPLICATIONS ·Designedforamplifierandswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BL-HG634A	文件：802.66 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTCHIPLEDLAMPS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-HG634C	文件：439.38 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTCHIPLEDLAMPS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-HG634C	文件：515.76 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTCHIPLEDLAMPS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-HG634C-TRB	文件：258.519 Kbytes Page：6 Pages	SURFACEMOUNTCHIPLEDLAMPSSPECIFICATION	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT
BL-HG634E	文件：633.45 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTCHIPLEDLAMPS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BUF634	文件：200.54 Kbytes Page：11 Pages	250mAHIGH-SPEEDBUFFER	BURR-BROWNTexas Instruments Incorporated 德州德州仪器	BURR-BROWN
BUF634	文件：248.81 Kbytes Page：12 Pages	250mAHIGH-SPEEDBUFFER	BURR-BROWNTexas Instruments Incorporated 德州德州仪器	BURR-BROWN
BUF634	文件：3.58567 Mbytes Page：41 Pages	BUF634A36-V,210-MHz,250-mAOutput,High-SpeedBuffer	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BUF634	文件：851 Kbytes Page：20 Pages	250mAHIGH-SPEEDBUFFER	BURR-BROWNTexas Instruments Incorporated 德州德州仪器	BURR-BROWN

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详细参数

型号：
CEIF634
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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