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CED65P03	文件：384.65 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V,-65A,RDS(ON)=9mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=12mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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CED65P03

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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V,-65A,RDS(ON)=9mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=12mW@VGS=-4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

CEU65P03

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P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-65A,RDS(ON)=9mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=12mW@VGS=-4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

PJA65P03

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30VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CED65P03供应商更新时间2025-7-18 11:04:00

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