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CED60P03	文件：413.38 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V,-60A,RDS(ON)=9mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=15mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU60P03	文件：413.38 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-60A,RDS(ON)=9mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=15mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
HLDD60P03	文件：896.46 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司	HUILIDA
HLDD60P03	文件：730.25 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LMAK60P03	文件：1.59007 Mbytes Page：5 Pages	-30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
NCE60P03R	文件：661.21 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE60P03Rusesadvancedtrenchtechnologyanddesign toprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceis wellsuitedforuseasaloadswitchorinPWMapplications.Application ●Loadswitch ●PWMapplication GeneralFeatures ●VDS=-60V,ID=-3A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE60P03Y	文件：358.87 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE60P03Yusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This deviceiswellsuitedforuseasaloadswitchorinPWM applications. GeneralFeatures ●VDS=-60V,ID=-3A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
RFG60P03	文件：104.11 Kbytes Page：6 Pages	60A,30V,AvalancheRated,P-ChannelEnhancement-ModePowerMOSFETs Features •60A,30V •rDS(ON)=0.027Ω •TemperatureCompensatingPSPICE®Model •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve •175oCOperatingTemperature •RelatedLiterature -TB334“GuidelinesforSolderingSurfaceMountComponentstoPCBoards”	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFG60P03	文件：88.95 Kbytes Page：7 Pages	60A,30V,0.027Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseP-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP60P03	文件：88.95 Kbytes Page：7 Pages	60A,30V,0.027Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseP-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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