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CED12P15	文件：677.61 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -150V,-12A,RDS(ON)=0.24W@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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CEU12P15	文件：379.06 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-150V,-12A,RDS(ON)=0.24Ω@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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