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CEB10N6	文件：627.14 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEB10N6	文件：403.9 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEB10N65	文件：733.35 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEF10N6	文件：403.9 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEF10N6	文件：627.14 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEP10N6	文件：627.14 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEP10N6	文件：45.27 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
SLM10N6Q	文件：543.84 Kbytes Page：6 Pages	SLMSeriesSlotSensors	BANNERBanner Engineering Corp. 邦纳电子邦纳电子（苏州）有限公司

详细参数

型号：
CEB10N6
功能描述：
600V N Channel MOS

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更多CEB10N6供应商更新时间2024-4-27 11:36:00

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