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CEB04N7	文件：132.54 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：132.54 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEB04N7G	文件：424.28 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：424.28 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEB04N7G	文件：647.56 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 文件：647.56 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEB04N7G	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET

技术参数

BVDSS(V)：
700
Rds(on)mΩ@10V：
3300
ID(A)：
4
Qg(nC)@10V(typ)：
14
RθJC(℃/W)：
1.5
Pd(W)：
84
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宇集芯电子有限公司	CEB04N7	CET	24+	TO-263	90000	进口原装现货假一罚十价格合理	询价
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更多CEB04N7供应商更新时间2025-9-30 15:03:00

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