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HY1804U

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features 40V/80A, RDS(ON)=4.0m2(typ.)@VGs=10V AvalancheRated ReliableandRugged LeadFreeandGreenDevicesAvailable (RoHSCompliant)

HOOYIHOOYI SEMICONDUCTOR

后羿半导体西安后羿半导体科技有限公司

KTC1804

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHCURRENTSWITCHING)

HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowCollectorEmitterSaturationVoltage. :VCE(sat)=0.4V(Max.)(IC=4A) •HighCurrentandHighfT :IC=8A,fT=180MHz. •ExcellentLinearityofhFE •HighSpeedSwitchingTime. :fT=20nS(Typ.) •ComplementarytoKTA1204D/L APPLICAT

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KTC1804D

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHCURRENTSWITCHING)

HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowCollectorEmitterSaturationVoltage. :VCE(sat)=0.4V(Max.)(IC=4A) •HighCurrentandHighfT :IC=8A,fT=180MHz. •ExcellentLinearityofhFE •HighSpeedSwitchingTime. :fT=20nS(Typ.) •ComplementarytoKTA1204D/L APPLICAT

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KTC1804D

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.4V(Max)@IC=4A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

KTC1804L

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHCURRENTSWITCHING)

HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowCollectorEmitterSaturationVoltage. :VCE(sat)=0.4V(Max.)(IC=4A) •HighCurrentandHighfT :IC=8A,fT=180MHz. •ExcellentLinearityofhFE •HighSpeedSwitchingTime. :fT=20nS(Typ.) •ComplementarytoKTA1204D/L APPLICAT

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KTC1804L

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.4V(Max)@IC=4A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

LT1804

Single/Dual/Quad100V/ms,85MHz,Rail-to-RailInputandOutputOpAmps

LINERLinear Technology

凌力尔特凌特半导体

LT1804

Single/Dual/Quad100V/s,85MHz,Rail-to-RailInputandOutputOpAmps

LINERLinear Technology

凌力尔特凌特半导体

LT1804

180MHz,1mAPowerEfficientRail-to-RailI/OOpAmps

FEATURES APPLICATIONS nGainBandwidthProduct:180MHz n–3dBFrequency(AV=1):120MHz nLowQuiescentCurrent:1mAMax nHighSlewRate:90V/μs nInputCommonModeRangeIncludesBothRails nOutputSwingsRail-to-Rail nLowBroadbandVoltageNoise:4.2nV/√Hz nPower-DownMode:42μA n

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

LT1804CDD

Single/Dual/Quad100V/ms,85MHz,Rail-to-RailInputandOutputOpAmps

LINERLinear Technology

凌力尔特凌特半导体

产品属性

  • 产品编号:

    CDCM1804RTHT

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 时钟缓冲器,驱动器

  • 包装:

    管件

  • 类型:

    扇出缓冲器(分配),除法器,多路复用器

  • 电路数:

    1

  • 比率 - 输入:

    1:4

  • 差分 - 输入:

    是/是

  • 输入:

    CML,HSTL,LVDS,LVPECL,LVTTL,SSTL-2,VML

  • 输出:

    LVCMOS,LVPECL

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    24-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    24-VQFN(4x4)

  • 描述:

    IC CLK BUFFER 1

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ICCLKBUFFER1:4800MHZ24VQ
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24-VQFN-EP(4x4)
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更多CDCM1804RTHT供应商 更新时间2025-7-20 12:20:00