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FQP9N08	文件：536.6 Kbytes Page：8 Pages	80VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstanda	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP9N08	文件：297.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.21Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQP9N08L	文件：541.68 Kbytes Page：8 Pages	80VLOGICN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FQPF9N08	文件：547.85 Kbytes Page：8 Pages	80VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstanda	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF9N08L	文件：278.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.21Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF9N08L	文件：552.02 Kbytes Page：8 Pages	80VLOGICN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU9N08	文件：536.03 Kbytes Page：9 Pages	80VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstanda	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU9N08	文件：331.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.21Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQU9N08L	文件：331.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.21Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
CDA9N08-G
制造商：
COMCHIP
制造商全称：
Comchip Technology
功能描述：
Steering Diode Arrays - ESD Suppressors

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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