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C3M0900170J中文资料分立式碳化硅肖特基二极管数据手册Wolfspeed(CREE)规格书
C3M0900170J规格书详情
描述 Description
1700 V, 900 mΩ, TO-263-7 package, Industrial qualified, Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFET
特性 Features
• 12-15V gate drive voltage
• High speed switching with low capacitances
• Wide creepage and clearance distance between drain and source
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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