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BZX85B39	文件：56.67 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes Features ●Sharpedgeinreversecharacteristics ●Lowreversecurrent ●Lownoise ●Veryhighstability Applications Voltagestabilization	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BZX85B39	文件：33.59 Kbytes Page：2 Pages	ZENER DIODES VZ:3.6to200V PD:1.3W FEATURES: •Siliconplanarpowerzenerdiodes. •Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhigh powerrating. •Standardzenervoltagetoleranceis±2 •Othertolerancesareavailableuponrequest. •Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
BZX85B39	文件：158.62 Kbytes Page：7 Pages	Zener Diodes Features •SiliconPlanarPowerZenerDiodes •Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating •TheZenervoltagesaregradedaccordingtotheinternationalE24standard.ReplacesuffixCwithBfor±2tolerance •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoR	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BZX85B39	文件：160.85 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES SILICONPLANARPOWERZENERDIODES foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BZX85B39	文件：103.1 Kbytes Page：6 Pages	Zener Diodes FEATURES •SiliconplanarpowerZenerdiodes •Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating •TheZenervoltagesaregradedaccordingtotheinternationalE24standard.Replacesuffix“C”with“B”for±2tolerance •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:ford	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BZX85B39	文件：100.7 Kbytes Page：6 Pages	Zener Diodes FEATURES •SiliconplanarpowerZenerdiodes •Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating •TheZenervoltagesaregradedaccordingtotheinternationalE24standard.Replacesuffix“C”with“B”for±2tolerance •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:ford	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BZX85B39	文件：102.47 Kbytes Page：6 Pages	Zener Diodes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BZX85B39G	文件：40.2 Kbytes Page：2 Pages	ZENER DIODES VZ:3.6to200V PD:1.3W FEATURES: •Siliconplanarpowerzenerdiodes. •Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhigh powerrating. •Standardzenervoltagetoleranceis±2 •Othertolerancesareavailableuponrequest. •Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
BZX85B39-TAP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 39V 1.3W DO41	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BZX85B39-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 39V 1.3W DO41	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

型号：
BZX85B39
功能描述：
稳压二极管 39 Volt 1.3 Watt 2%
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

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