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BZX84B30-AU	文件：338.14 Kbytes Page：6 Pages	SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES VOLTAGE2.4to75VoltsPOWER410mWatts FEATURES •PlanarDieconstruction •410mWPowerDissipation •ZenerVoltagesfrom2.4~75V •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 •AEC-Q101qualified •LeadfreeincomplywithEURoHS2011/6	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BZX84B30-AU	文件：300 bytes Page：1 Pages	齐纳二极管	PanjitPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	Panjit
BZX84B30-AU_R1_000A1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BZX84B30-G	文件：125.26 Kbytes Page：8 Pages	SiliconplanarZenerdiodes FEATURES •SiliconplanarZenerdiodes •TheZenervoltagesaregradedaccordingtothe internationalE24standard.StandardZener voltagetoleranceis±5,indicatedbythe“C” intheorderingcode.Replace“C”with“B”for ±2tolerance. •AEC-Q101qualified •ESDcapabilit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
BZX84B30L	文件：568.79 Kbytes Page：4 Pages	LowCapacitanceTVSDiodeArray	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
BZX84B30-TP	文件：312.04 Kbytes Page：6 Pages	Silicon350mWattZenerDiodes	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司

技术参数

PD[mW]：
410
VZ[%]：
2
VZ@IZT.V[Nom]：
30
VZ@IZT.V[Min]：
29.4
VZ@IZT.V[Max]：
30.6
ZZT@IZT Max.[Ω]：
80
ZZT@IZT Max.[mA]：
5
ZZK@IZK Max.[Ω]：
300
ZZK@IZK Max.[mA]：
1
IR@VR Max.[µA]：
0.05
IR@VR Max.[V]：
21
Package：
SOT-23

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