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BZX55B3V9分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

BZX55B3V9
厂商型号

BZX55B3V9

参数属性

BZX55B3V9 封装/外壳为DO-204AH,DO-35,轴向;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35

功能描述

SILICON ZENER DIODES

封装外壳

DO-204AH,DO-35,轴向

文件大小

41.96 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 EIC discrete Semiconductors
企业简称

EIC

中文名称

EIC discrete Semiconductors官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 22:59:00

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BZX55B3V9规格书详情

FEATURES :

* Complete 2.0 to 100 Volts

* High surge current capability

* High peak reverse power dissipation

* High reliability

* Low leakage current

* Zener Voltage tolerance is ± 2

* Pb / RoHS Free

产品属性

  • 产品编号:

    BZX55B3V9-TAP

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, BZX55

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 容差:

    ±2%

  • 工作温度:

    -65°C ~ 175°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AH,DO-35,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-35(DO-204AH)

  • 描述:

    DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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