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BZW04P239	文件：51.53 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:400Watts FEATURES: 400Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min) *TypicalIRlessthen1mAabove10V	EIC EIC	EIC
BZW04P239	文件：55.6 Kbytes Page：4 Pages	TRANSZORB??TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR Stand-offVoltage-5.8to376VoltsPeakPulsePower-400Watts FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Glasspassivatedchipjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000µswaveform, repetitionrate(dutycycle):0.0	GE GE Industrial Company	GE
BZW04P239	文件：113.51 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W FEATURES ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellentclampingc	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BZW04P239	文件：105.84 Kbytes Page：6 Pages	TRANSZORB® Transient Voltage Suppressors FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresistance •Sold	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BZW04P239	文件：3.83248 Mbytes Page：4 Pages	Transient Voltage Suppressors FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000µswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresist	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
BZW04P239	文件：189.68 Kbytes Page：4 Pages	Transient Voltage Suppressor BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W Features ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellen	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BZW04P239	文件：393.28 Kbytes Page：6 Pages	TransZorb Transient Voltage Suppressors	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BZW04P239	文件：509.04 Kbytes Page：4 Pages	AXIAL LEADED TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS DIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BZW04P239	文件：200.66 Kbytes Page：4 Pages	GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR	MDEMDE semiconductor MDE半导体公司	MDE
BZW04P239B	文件：113.51 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W FEATURES ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellentclampingc	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BZW04P239B	文件：105.84 Kbytes Page：6 Pages	TRANSZORB® Transient Voltage Suppressors FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresistance •Sold	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BZW04P239B	文件：3.83248 Mbytes Page：4 Pages	Transient Voltage Suppressors FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000µswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresist	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
BZW04P239B	文件：200.66 Kbytes Page：4 Pages	GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR	MDEMDE semiconductor MDE半导体公司	MDE
BZW04P239B-E3/73	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带盒（TB）封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 239VWM 384VC DO204AL	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BZW04P239-E3/54	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 239VWM 384VC DO204AL	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BZW04P239-E3/73	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带盒（TB）封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 239VWM 384VC DO204AL	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

型号：
BZW04P239
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 239V 7% Unidir
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	BZW04P239	GE	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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