| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
首页>BVSS84LT1G>芯片详情
BVSS84LT1G_ONSEMI/安森美半导体_MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3高捷芯城一部
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
BVSS84LT1G
- 功能描述:
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
-
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商
相近型号
- BW21S7511A01TF
- BVS-M-R0005-1.0
- BW21S7511B01TF
- BVS-A-R003-1.0
- BW2252101K-AC100V
- BVS-A-R002-1.0
- BVS-A-R001-1.0
- BW-30N100W+
- BVM-81T-P20
- BW-30N100W-N+
- BVM-61T-P20
- BW-30N250W+
- BVH-21T-P1.1
- BW31154
- BV-FA05UCA
- BW31154(SL7SK)
- BVF-61T-P20
- BW-311RCGB
- BVE-M-R0002-1.0
- BW3274101V-24VDC
- BVE-M-R0002
- BW-40N100W
- BVE-A-R0005-1.0
- BW-40N100W+
- BV-D505ZC
- BW-40N250W+
- BVA70
- BW42L256M32D2-LG
- BV3632K
- BW52L256M32D1PF
- BV32
- BW57601K-200VAC
- BV302S12006
- BW58TEG6TGLBA09
- BV302S09020ZU
- BW6101
- BWATGSB21B16G
- BV24C
- BWCA24M-08G
- BV202S09003A
- BWCE24K-04G
- BV1LB045FPJ-CE1
- BWCE24L-08G
- BV1HJ045EFJ-CE2
- BWCE28J-08G
- BV1HB045EFJ-CE2
- BWCE28J-16G
- BV1HAL45EFJ-E2
- BWCE28K-08G
- BV18C



