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BUK9Y27-40B	文件：817.35 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2 Features and benefits Lo 文件：817.35 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK9Y27-40B	文件：202.62 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：202.62 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK9Y27-40B	文件：202.62 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：202.62 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
BUK9Y27-40B_15	文件：202.62 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：202.62 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK9Y27-40B	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. • Low conduction losses due to low on-state resistance\n• Q101 compliant\n• Suitable for logic level gate drive sources\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
40
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
24
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
27
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
30
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
34
QGD [typ] (nC)：
4.2
Ptot [max] (W)：
59.4
Qr [typ] (nC)：
35
VGSth [typ] (V)：
1.65
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
719
Coss [typ] (pF)：
146
Release date：
2011-01-27

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