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BUK9Y25-60E	文件：741.35 Kbytes Page：13 Pages	丝印：92560E；Package：LFPAK56；N-channel 60 V, 25 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 1. General description Logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56 (Power SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. 2. Features and benefits • Q101 compliant • Repetitive aval 文件：741.35 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK9Y25-80E	文件：768.74 Kbytes Page：13 Pages	丝印：92580E；Package：LFPAK56；N-channel 80 V, 27 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 1. General description Logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56 (Power SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. 2. Features and benefits • Q101 compliant • Repetitive aval 文件：768.74 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK9Y25-60E	文件：318.05 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 60 V, 25 m廓 logic level MOSFET in LFPAK56 文件：318.05 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
BUK9Y25-60E_15	文件：317.81 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 60 V, 25 m廓 logic level MOSFET in LFPAK56 文件：317.81 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK9Y25-80E	文件：356.94 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 80 V, 27 m廓 logic level MOSFET in LFPAK56 文件：356.94 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
BUK9Y25-80E_15	文件：357.16 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 80 V, 27 m廓 logic level MOSFET in LFPAK56 文件：357.16 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK9Y25-60E	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 60 V, 25 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 Logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56 (Power SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. • Q101 compliant\n• Repetitive avalanche rated\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating\n• True logic level gate with VGS(th) rating of greater than 0.5 V at 175 °C;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK9Y25-80E	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 80 V, 27 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 Logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56 (Power SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. • Q101 compliant\n• Repetitive avalanche rated\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating\n• True logic level gate with VGS(th) rating of greater than 0.5 V at 175 °C;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
80
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
25
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
27
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
37
QGD [typ] (nC)：
5.8
Ptot [max] (W)：
95
Qr [typ] (nC)：
27
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
2031.9999
Coss [typ] (pF)：
147
Release date：
2013-02-14

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