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BUK9Y07-30B	文件：978.38 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2 Features and benefits  L 文件：978.38 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK9Y07-30B	文件：371.56 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：371.56 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
BUK9Y07-30B_15	文件：371.56 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：371.56 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK9Y07-30B	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. • Low conduction losses due to low on-state resistance\n• Q101 compliant\n• Suitable for logic level gate drive sources\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package version：
SOT669
Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
6
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
7
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
8
I_D [max] (A)：
75
Q_GD [typ] (nC)：
12.4
P_tot [max] (W)：
105
Q_r [typ] (nC)：
53.7
V_GSth [typ] (V)：
1.65
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
1580
C_oss [typ] (pF)：
500
Date：
2011-01-27

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